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IDC08D120T6MX1SA2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IDC08D120T6MX1SA2
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IDC08D120T6MX1SA2.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.05V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    Sawn on foil
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    SP000301857
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 10A Surface Mount Sawn on foil
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    2.7µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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