IDC51D120T6MX1SA3

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Especificaciones

Número de pieza

IDC51D120T6MX1SA3
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IDC51D120T6MX1SA3.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.05V @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1200V
Paquete del dispositivo

Sawn on foil
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

SP000375000
Temperatura de funcionamiento - Junction

-40°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1200V 100A Surface Mount Sawn on foil
Corriente - Fuga inversa a Vr

18µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io)

100A
Capacitancia Vr, F

-

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Descripción: FIXED IND 6.8UH 4.4A 27 MOHM SMD

Fabricantes: Dale / Vishay

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