International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA083N10N5XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPA083N10N5XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPA083N10N5XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 49µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-FP
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 44A, 10V
La disipación de energía (máximo)

36W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

SP001226038
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 44A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

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IPA057N08N3GXKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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