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749893Imagen IPA60R080P7XKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA60R080P7XKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPA60R080P7XKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IPA60R080P7XKSA1.pdf
    2.IPA60R080P7XKSA1.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 590µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO220 Full Pack
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    80 mOhm @ 11.8A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    29W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack
  • Otros nombres
    SP001658398
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2180pF @ 400V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 37A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP

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Descripción: MOSFET N-CH 600V TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3

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Descripción: HIGH POWER_NEW

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