International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA65R190C7XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPA65R190C7XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPA65R190C7XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 290µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-FP
Serie

CoolMOS™ C7
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 5.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

SP001080140
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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IPA65R1K5CEXKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 650V TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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