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5739912Imagen IPB025N08N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB025N08N3GATMA1

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$5.748
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPB025N08N3GATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPB025N08N3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    300W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    IPB025N08N3 GCT
    IPB025N08N3 GCT-ND
    IPB025N08N3GATMA1CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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