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207237Imagen IPB039N10N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GATMA1

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$1.866
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPB039N10N3GATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPB039N10N3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO263-7
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 100A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    214W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Otros nombres
    IPB039N10N3 GDKR
    IPB039N10N3 GDKR-ND
    IPB039N10N3GATMA1DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
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