International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06CN10N G

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Especificaciones

Número de pieza

IPB06CN10N G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB06CN10N G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

6.2 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

214W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IPB06CN10N G-ND
IPB06CN10NG
SP000096446
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9200pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

139nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Descripción: MV POWER MOS

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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