International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N04S4H0ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB180N04S4H0ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB180N04S4H0ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-7-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.1 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres

IPB180N04S4-H0
IPB180N04S4-H0-ND
IPB180N04S4H0ATMA1TR
SP000711248
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17940pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

225nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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