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5597974Imagen IPB60R190P6ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R190P6ATMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPB60R190P6ATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V TO263-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPB60R190P6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 630µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    CoolMOS™ P6
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    190 mOhm @ 7.6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    151W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    IPB60R190P6ATMA1TR
    SP001364462
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1750pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Descripción: MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263

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Descripción: MOSFET TO263-3

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

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