Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IPB80N06S407ATMA1
RFQs/Orden (0)
español
español
5021048Imagen IPB80N06S407ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S407ATMA1

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1000+
$0.585
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    IPB80N06S407ATMA1
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 40µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    7.1 mOhm @ 80A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    79W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    IPB80N06S4-07
    IPB80N06S4-07-ND
    IPB80N06S407ATMA1TR
    SP000415568
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)
IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S3-07

IPB80N06S3-07

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N07S405ATMA1

IPB80N07S405ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S2L11ATMA1

IPB80N06S2L11ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S3-05

IPB80N06S3-05

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S3L-06

IPB80N06S3L-06

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S405ATMA2

IPB80N06S405ATMA2

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S3L-05

IPB80N06S3L-05

Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80P03P405ATMA1

IPB80P03P405ATMA1

Descripción: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir