International Rectifier (Infineon Technologies)

IPBH6N03LA G

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Especificaciones

Número de pieza

IPBH6N03LA G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPBH6N03LA G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 30µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-3-2
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

6.2 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

71W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IPBS-104-01-T-D-GP

Descripción: .165 DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY

Fabricantes: Samtec, Inc.

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