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IPC302N10N3X1SA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPC302N10N3X1SA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPC302N10N3X1SA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 302µA
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    Sawn on foil
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    SP000476916
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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