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1203003Imagen IPD048N06L3GBTMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD048N06L3GBTMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPD048N06L3GBTMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPD048N06L3GBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.2V @ 58µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 90A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    115W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    IPD048N06L3GBTMA1DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8400pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

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