International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD100N06S403ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD100N06S403ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD100N06S403ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3-11
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
IPD100N06S403ATMA1TR
SP000415576
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

128nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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IPD1-25-D-P-M

Descripción: MINI-POWER CONNECTOR

Fabricantes: Samtec, Inc.

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