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4757508Imagen IPD180N10N3GBTMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD180N10N3GBTMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPD180N10N3GBTMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPD180N10N3GBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 33µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    18 mOhm @ 33A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    71W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    IPD180N10N3 G
    IPD180N10N3 G-ND
    IPD180N10N3 GTR-ND
    IPD180N10N3G
    IPD180N10N3GBTMA1TR
    IPD180N10N3GXT
    SP000482438
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MV POWER MOS

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
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