International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50P03P4L11ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD50P03P4L11ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD50P03P4L11ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 85µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

10.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

58W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD50P03P4L-11INCT
IPD50P03P4L-11INCT-ND
IPD50P03P4L11
IPD50P03P4L11ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IPD50N12S3L15ATMA1

Descripción: MOSFET N-CHANNEL_100+

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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