International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R1K4C6ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD60R1K4C6ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD60R1K4C6ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ C6
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

28.4W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD60R1K4C6ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Tc)

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IPD60R2K1CEBTMA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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