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5282608Imagen IPI037N08N3GXKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI037N08N3GXKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPI037N08N3GXKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 80V 100A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPI037N08N3GXKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 155µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.75 mOhm @ 100A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    214W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Otros nombres
    SP000680654
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8110pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

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IPI052NE7N3 G

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Descripción: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

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Descripción: MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

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RFQ
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

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Descripción: MV POWER MOS

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Descripción: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

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