International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI35CN10N G

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Especificaciones

Número de pieza

IPI35CN10N G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPI35CN10N G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 29µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 27A, 10V
La disipación de energía (máximo)

58W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

IPI35CN10N G-ND
IPI35CN10NG
SP000208936
SP000680730
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

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IPI26CN10N G

Descripción: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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