International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI80P03P4L04AKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPI80P03P4L04AKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPI80P03P4L04AKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 253µA
Vgs (Max)

+5V, -16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.4 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

137W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

IPI80P03P4L-04
IPI80P03P4L-04-ND
SP000396318
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

160nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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IPI80N07S405AKSA1

Descripción: MOSFET N-CH TO262-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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