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702978Imagen IPL60R255P6AUMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL60R255P6AUMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPL60R255P6AUMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 4VSON
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPL60R255P6AUMA1.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 530µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-VSON-4
  • Serie
    CoolMOS™ P6
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    255 mOhm @ 6.4A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    126W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    4-PowerTSFN
  • Otros nombres
    IPL60R255P6AUMA1CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2A (4 Weeks)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1450pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 15.9A (Tc) 126W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15.9A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 4VSON

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

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Descripción: MOSFET N-CH 4VSON

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Descripción: MOSFET N-CH 4VSON

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

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