International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN80R4K5P7ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPN80R4K5P7ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPN80R4K5P7ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-SOT223
Serie

CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs

4.5 Ohm @ 400mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

6W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-223-3
Otros nombres

IPN80R4K5P7ATMA1-ND
IPN80R4K5P7ATMA1TR
SP001657536
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 500V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 1.5A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Tc)

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IPN70R600P7SATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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