International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP023NE7N3GXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPP023NE7N3GXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPP023NE7N3GXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 273µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177
IPP023NE7N3 G E8177-ND
IPP023NE7N3 G-ND
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3 GTR-ND
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
SP000641722
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 37.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

206nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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IPP023NE7N3G

Descripción: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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