International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP25N06S325XK

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Especificaciones

Número de pieza

IPP25N06S325XK
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPP25N06S325XK.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

25.1 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

48W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IPP25N06S3-25
IPP25N06S3-25-ND
IPP25N06S3-25IN
IPP25N06S3-25IN-ND
IPP25N06S325X
SP000088001
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1862pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 25A (Tc) 48W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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