International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP45P03P4L11AKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPP45P03P4L11AKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPP45P03P4L11AKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 85µA
Vgs (Max)

+5V, -16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

11.1 mOhm @ 45A, 10V
La disipación de energía (máximo)

58W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IPP45P03P4L-11
IPP45P03P4L-11-ND
SP000396382
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 45A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

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IPP50R199CPHKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 550V TO-220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPP45P03P4L11AKSA1

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