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3746007Imagen IPP60R299CPXKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP60R299CPXKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPP60R299CPXKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPP60R299CPXKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 440µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO-220-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    299 mOhm @ 6.6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    96W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    IPP60R299CP
    IPP60R299CPAKSA1
    IPP60R299CPIN
    IPP60R299CPIN-ND
    IPP60R299CPX
    IPP60R299CPXK
    IPP60R299CPXTIN
    IPP60R299CPXTIN-ND
    SP000084280
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220

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