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2104238Imagen IPP65R190C7FKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP65R190C7FKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPP65R190C7FKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 13A TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPP65R190C7FKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 290µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO-220-3
  • Serie
    CoolMOS™ C7
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    190 mOhm @ 5.7A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    72W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    SP000929426
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1150pF @ 400V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V TO-220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 18A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 38A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V TO-220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

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