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3826132Imagen IPS65R1K4C6AKMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS65R1K4C6AKMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPS65R1K4C6AKMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPS65R1K4C6AKMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO251-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    28W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Otros nombres
    SP000991120
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    225pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 3.2A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
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