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3139268Imagen IPT020N10N3ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT020N10N3ATMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPT020N10N3ATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPT020N10N3ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 272µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-HSOF-8-1
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2 mOhm @ 150A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    375W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerSFN
  • Otros nombres
    IPT020N10N3ATMA1CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    11200pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    156nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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Descripción: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

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Descripción: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Fabricantes: Samtec, Inc.
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Descripción: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

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