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2760622Imagen IPT65R033G7XTMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT65R033G7XTMA1

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2000+
$11.142
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPT65R033G7XTMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPT65R033G7XTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1.44mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-HSOF-8
  • Serie
    CoolMOS™ C7
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    33 mOhm @ 28.9A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    391W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerSFN
  • Otros nombres
    IPT65R033G7XTMA1-ND
    IPT65R033G7XTMA1TR
    SP001456202
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5000pF @ 400V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 69A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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