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Imagen IPU10N03LA G

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPU10N03LA G

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Especificaciones

Número de pieza

IPU10N03LA G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPU10N03LA G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

10.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

52W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

IPU10N03LA G-ND
IPU10N03LAG
IPU10N03LAGX
SP000017597
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1358pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 30A (Tc) 52W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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