International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW65R190CFDAFKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPW65R190CFDAFKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPW65R190CFDAFKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO247-3
Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 7.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

151W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

SP000928268
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A (Tc)

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IPW65R190C7XKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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