International Rectifier (Infineon Technologies)

IPZ65R045C7XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPZ65R045C7XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPZ65R045C7XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1.25mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO247
Serie

CoolMOS™ C7
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 24.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-4
Otros nombres

SP001024004
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

93nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

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IPZ60R060C7XKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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