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IR2112STR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IR2112STR
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IR2112STR.pdf
  • Suministro de voltaje
    10 V ~ 20 V
  • Paquete del dispositivo
    16-SOIC
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    80ns, 40ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • estilo de la llave
    2
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tensión lógica - VIL, VIH
    6V, 9.5V
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de entrada
    Non-Inverting
  • High Voltage - Máx (Bootstrap)
    600V
  • Tipo de Puerta
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • Configuración impulsada
    Half-Bridge
  • Descripción detallada
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
  • Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)
    250mA, 500mA
  • Corriente de carga
    Independent
  • Número de pieza base
    IR2112S

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