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IRD3CH101DB6

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRD3CH101DB6
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRD3CH101DB6.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.7V @ 200A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    360ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    SP001535420
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 200A Surface Mount Die
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    3.6µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200A
  • Capacitancia Vr, F
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