International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1104L

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Especificaciones

Número de pieza

IRF1104L
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF1104L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta), 170W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

*IRF1104L
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

93nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 100A (Tc) 2.4W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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IRF1018EPBF

Descripción: MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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