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800173Imagen IRF1902PBFInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1902PBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF1902PBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRF1902PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    85 mOhm @ 4A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.5W (Ta)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    *IRF1902PBF
    SP001550948
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    310pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
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