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1255553Imagen IRF40H210International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF40H210

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$1.241
1000+
$1.028
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF40H210
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRF40H210.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.7V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-PQFN (5x6)
  • Serie
    HEXFET®, StrongIRFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 100A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    125W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    IRF40H210DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5406pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    152nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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