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Imagen IRF7321D2TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7321D2TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7321D2TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7321D2TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

62 mOhm @ 4.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

*IRF7321D2TRPBF
IRF7321D2PBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Ta)

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