International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7480MTRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7480MTRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7480MTRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DirectFET™ Isometric ME
Serie

HEXFET®, StrongIRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 mOhm @ 132A, 10V
La disipación de energía (máximo)

96W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric ME
Otros nombres

IRF7480MTRPBF-ND
IRF7480MTRPBFTR
SP001566252
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

185nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 217A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

217A (Tc)

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IRF7477PBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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