International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7606TR

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7606TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF7606TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro8™
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres

SP001551468
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Ta)

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IRF7601TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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