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IRF7702TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF7702TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRF7702TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-TSSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    14 mOhm @ 8A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.5W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Otros nombres
    IRF7702TRPBF-ND
    IRF7702TRPBFTR
    SP001551488
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3470pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    81nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    12V
  • Descripción detallada
    P-Channel 12V 8A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

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