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IRF7751TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF7751TR
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRF7751TR.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-TSSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1464pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.5A

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