International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7799L2TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7799L2TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7799L2TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET L8
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

38 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4.3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric L8
Otros nombres

IRF7799L2TRPBF-ND
IRF7799L2TRPBFTR
SP001551508
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6714pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

165nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

375A (Tc)

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IRF7769L2TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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