International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807D1

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7807D1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF7807D1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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