IRF9910TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF9910TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF9910TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.55V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9.3 mOhm @ 12A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

*IRF9910TRPBF
IRF9910PBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 12A
Número de pieza base

IRF9910PBF

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IRF9640S

Descripción: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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