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4941564Imagen IRFB23N20DInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB23N20D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRFB23N20D
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRFB23N20D.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 14A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.8W (Ta), 170W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    *IRFB23N20D
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1960pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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