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Imagen IRFB3507PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB3507PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFB3507PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFB3507PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.8 mOhm @ 58A, 10V
La disipación de energía (máximo)

190W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRFB3507PBF
SP001565920
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3540pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

97A (Tc)

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