International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5220TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH5220TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH5220TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-VQFN Exposed Pad
Otros nombres

SP001570846
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta), 20A (Tc)

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IRFH5207TR2PBF

Descripción: MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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